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HUF75631S3S
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HUF75631S3S

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Tc) 最大功耗: 120W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263AB) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 431

数量 单价 合计
431+ 5.07003 2185.18293
  • 库存: 1130
  • 单价: ¥5.07003
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,185.18
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规格参数

  • 宽(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 33A (Tc)
  • 最大功耗 120W(Tc)
  • 制造厂商
  • 导通电阻 Rds(ON) 40毫欧姆 @ 33A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 79 nC @ 20 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1220 pF@25 V
  • 供应商设备包装 DPAK (TO-263AB)

HUF75631S3S 产品详情

N沟道UltraFET功率MOSFET 100 V,33 A,40 mΩ

特色

  • 超低导通电阻 rDS(ON)=40 mΩ,VGS=10 V
  • 温度补偿PSPICE®和SABERTM电气模型
  • Spice和SABER热阻抗模型
  • 峰值电流与脉冲宽度曲线
  • UIS评级曲线

应用

  • AC-DC商用电源-服务器和工作站
  • 工作站
  • 服务器和大型机
HUF75631S3S所属分类:分立场效应晶体管 (FET),HUF75631S3S 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。HUF75631S3S价格参考¥5.070030,你可以下载 HUF75631S3S中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HUF75631S3S规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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