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HUFA75332S3ST

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 145W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
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  • 得捷
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 漏源电压标 (Vdss) 55 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1300 pF@25 V
  • 部件状态 过时的
  • 制造厂商
  • 供应商设备包装 D2PAK (TO-263)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 60A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 19毫欧姆@60A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 85 nC @ 20 V
  • 最大功耗 145W(Tc)

HUFA75332S3ST 产品详情

HUFA75332S3ST所属分类:分立场效应晶体管 (FET),HUFA75332S3ST 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。HUFA75332S3ST价格参考¥3.186876,你可以下载 HUFA75332S3ST中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HUFA75332S3ST规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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