与增强型MOSFET相反，这些耗尽型器件在“常开”模式下工作，需要栅极端子处的零导通电压。通过高达1700V的阻断电压和低漏极-源极电阻，它们可以在持续“开启”的系统（例如紧急或防盗警报）中提供简化的控制和减少的功耗。
特色
- “常开”操作
- 线性模式容差
- 低RDS（打开）
- 可用体二极管
- 内部标准包
- UL 94 V-0可燃性合格（模塑环氧树脂）
应用
- 音频放大器
- 启动电路
- 保护电路
- 斜坡发生器
- 电流调节器
- 主动负载
IXTT2N170D2
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Tj） 最大功耗: 568W (Tc) 供应商设备包装: TO-268AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 185.49066 | 185.49066 |
| 10+ | 171.09178 | 1710.91784 |
| 100+ | 146.10160 | 14610.16060 |
| 500+ | 132.64473 | 66322.36600 |
- 库存: 157
- 单价: ¥185.49067
-
数量:
- +
- 总计: ¥185.49
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规格参数
- 宽（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 场效应管特性 耗尽型
- 漏源电压标 (Vdss) 1700伏
- 供应商设备包装 TO-268AA
- 包装/外壳 至268-3，DPak（2根引线+接线片），TO-268AA
- 最大功耗 568W (Tc)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2A（Tj）
- 导通电阻 Rds(ON) 6.5欧姆 @ 1A, 0V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 110 nC@5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3650 pF @ 25 V
IXTT2N170D2 产品详情
IXTT2N170D2 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IXTL2X180N10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥134.30365 |
| IXTL2X200N085T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 85V 漏源电流 (Id) @ 温度: 112A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥666.28886 |
| IXTL2X220N075T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 75V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.4032 |
 | IXTL2X240N055T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.79576 |
 | IXTA3N100D2 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥42.00882 |
 | IXTA26P20P | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥48.81715 |
 | IXTP96P085T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 85 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 96A（Tc） 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥49.97601 |
 | IXTP26P20P | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥50.12087 |
 | IXTH76P10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 76A (Tc) 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥57.50863 |
 | IXTH200N10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A（Tc） 最大功耗: 550W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥66.77954 |
IXTT2N170D2所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXTT2N170D2 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXTT2N170D2价格参考￥185.490669，你可以下载 IXTT2N170D2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXTT2N170D2规格参数、现货库存、封装信息等信息！
艾赛斯.力特 (IXYS)
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