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HUFA75307T3ST是MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223-4，包括UltraFET系列，它们设计用于卷盘封装。HUFA75307 T3ST_NL中使用的数据表注释中显示了零件别名，提供单位重量功能，如0.006632盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOT-223-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单双漏极配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为1.1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为30纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为2.6A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds导通漏极-电源电阻为90m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为5ns，沟道模式为增强。
HUFA75307P3是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 55V 15A TO-220AB。HUFA75307P3采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 55V 15A TO-220AB、N沟道55V 15A（Tc）45W（Tc）通孔TO-220AA、Trans MOSFET N-CH-Si 55V 15A 3-Pin（3+Tab）TO-220AC。
HUFA75309D3S是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 55V 19A DPAK。HUFA75309D3S可提供TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 55V 19A DPak、N沟道55V 19V（Tc）55W（Tc）表面安装TO-252AA、Trans-MOSFET N-CH Si 55V 19B 3引脚（2+Tab）TO-252AB导轨。
