HUF76113SK8

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta) 最大功耗: 2.5W（Ta）供应商设备包装: US8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
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规格参数

部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 30伏
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 21 nC@10 V
最大功耗 2.5W（Ta）
漏源电流 (Id) @ 温度 6.5A (Ta)
制造厂商
导通电阻 Rds(ON) 30毫欧姆 @ 6.5A, 10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 585 pF @ 25 V
供应商设备包装 US8
包装/外壳 8-VFSOP (0.091", 2.30毫米 Width)

HUF76113SK8 产品详情

HUF76113SK8 相关器件

型号	制造商	描述	价格
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HUF76113SK8所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，HUF76113SK8 由设计生产，可通过久芯网进行购买。HUF76113SK8价格参考￥3.983595，你可以下载 HUF76113SK8中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询HUF76113SK8规格参数、现货库存、封装信息等信息！