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RSQ030N08HZGTR

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 950毫瓦(Ta) 供应商设备包装: TSMT6(SC-95) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 5.50460 5.50460
10+ 4.83825 48.38257
100+ 3.70908 370.90890
500+ 2.93192 1465.96300
1000+ 2.34554 2345.54100
3000+ 2.12564 6376.93800
6000+ 1.99904 11994.24000
  • 库存: 3276
  • 单价: ¥5.50460
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.50
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
  • 漏源电压标 (Vdss) 80 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 550 pF @ 10 V
  • 最大功耗 950毫瓦(Ta)
  • 包装/外壳 SOT-23-6薄型,TSOT-23-6
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3A (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 131毫欧姆@3A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6.5 nC @ 5 V
  • 供应商设备包装 TSMT6(SC-95)

RSQ030N08HZGTR 产品详情

RSQ030N08HZGTR所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RSQ030N08HZGTR 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RSQ030N08HZGTR价格参考¥5.504604,你可以下载 RSQ030N08HZGTR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RSQ030N08HZGTR规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...

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