特色
- 4.Ｖ-驱动器类型
- Nch中功率MOSFET
- 快速切换速度
- 小型表面安装组件
- 无铅/符合RoHS
RSQ020N03HZGTR
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 最大功耗: 950毫瓦（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.41816 | 4.41816 |
| 10+ | 3.79528 | 37.95280 |
| 100+ | 2.83342 | 283.34220 |
| 500+ | 2.22603 | 1113.01650 |
| 1000+ | 1.72011 | 1720.11600 |
| 3000+ | 1.56830 | 4704.91500 |
| 6000+ | 1.46719 | 8803.16400 |
- 库存: 2097
- 单价: ¥4.41817
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.42
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4V, 10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2A（Ta）
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
- 最大功耗 950毫瓦（Ta）
- 包装/外壳 SOT-23-6薄型，TSOT-23-6
- 供应商设备包装 TSMT6（SC-95）
- 导通电阻 Rds(ON) 134毫欧姆@2A，10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3.1 nC@5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 110 pF@10 V
- 色彩/颜色 -
RSQ020N03HZGTR 产品详情
功率MOSFET通过微处理技术制成低导通电阻器件，适用于广泛的应用。广泛的产品阵容涵盖紧凑型、高功率型和复杂型，以满足市场上的各种需求。
RSQ020N03HZGTR 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | RSQ030N08HZGTR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 950毫瓦（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.5046 |
 | RSQ035N03HZGTR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A（Ta） 最大功耗: 950毫瓦（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.56303 |
 | RSQ025P03HZGTR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta） 最大功耗: 950毫瓦（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.78031 |
 | RSQ035N03TR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A（Ta） 最大功耗: 1.25W（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.9976 |
 | RSQ020N03TR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.14246 |
 | RSQ035P03HZGTR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A（Ta） 最大功耗: 950毫瓦（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.28732 |
| RSQ020N03HZGTR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 最大功耗: 950毫瓦（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.41817 |
 | RSQ045N03HZGTR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 最大功耗: 950毫瓦（Ta） 供应商设备包装: TSMT6（SC-95） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.14246 |
 | RSQ200 | 国巨 (Yageo) | 电阻 (Ohms): 1~10M 公差: ±5% 功率（瓦特）: 1/4瓦 量: 33800 Pieces (169 Values - 200 Each) 安装类别: 通孔 | ¥2,234.50708 |
 | RSQ25-KIT | FILM RESISTOR KIT | ¥0.00 |
RSQ020N03HZGTR所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RSQ020N03HZGTR 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RSQ020N03HZGTR价格参考￥4.418169，你可以下载 RSQ020N03HZGTR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RSQ020N03HZGTR规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
