9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的RSQ035N03HZGTR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RSQ035N03HZGTR参考价格0.63000美元。Rohm Semiconductor RSQ035N03HZGTR封装/规格：MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6。您可以下载RSQ035N03HZGTR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如RSQ035N03HZGTR价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
RSQ030P03TR是MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6，包括RSQ030P02系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如TSMT-6，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单四漏极配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，该器件提供1.25 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为13纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds导通漏极-漏极电阻为100 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为40 ns，典型接通延迟时间为10 ns，沟道模式为增强。
RSQ030P03 TR，带有ROHM制造的用户指南。RSQ030P03 TR可在SOT163封装中获得，是FET的一部分-单个。
RSQ030P03-TR，带有ROHM制造的电路图。RSQ030P03-TR在SOT-163封装中提供，是FET的一部分-单个。
