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RSQ035N03TR是MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6，包括RSQ035NO3系列，它们设计为使用卷筒封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如TSMT-6，技术设计为在Si中工作，以及1信道数的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供1.25 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为9纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极漏极-漏极电阻为62mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型接通延迟时间为7ns，沟道模式为增强。
RSQ035N03 TR，带有ROHM制造的用户指南。RSQ035N03 TR在SOT163封装中提供，是FET的一部分-单个。
RSQ035N03FRA，电路图由ROHM制造。RSQ035N03FRA在SOT-163封装中提供，是IC芯片的一部分。
