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NTMFS4936NCT1G

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.6A(Ta)、79A(Tc) 最大功耗: 920mW(Ta),43W(Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 995

数量 单价 合计
995+ 2.17287 2162.00565
  • 库存: 15000
  • 单价: ¥2.17287
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    - +
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 43 nC @ 10 V
  • 制造厂商
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 11.6A(Ta)、79A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 3.8毫欧姆 @ 30A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3044 pF @ 15 V
  • 最大功耗 920mW(Ta),43W(Tc)
  • 供应商设备包装 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN, 5 Leads

NTMFS4936NCT1G 产品详情

这是一个30 V N沟道功率MOSFET。

特色

  • 低RDS(开启)、低电容和优化栅极电荷
  • 最小化传导、驱动器和开关损耗
  • 下一代增强型体二极管,专为软恢复而设计
  • 提供类似肖特基的性能
  • 符合RoHS

应用

  • CPU供电
  • DC-DC转换器
  • 笔记本电脑、台式机、服务器、游戏控制台、负载点、其他计算产品


(图片:引出线)

NTMFS4936NCT1G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTMFS4936NCT1G 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTMFS4936NCT1G价格参考¥2.172870,你可以下载 NTMFS4936NCT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTMFS4936NCT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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