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HUF76407DK8T是MOSFET 2N-CH 60V SOP-8，包括UltraFET？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-SO供应商器件封装，该器件也可以用作2 N通道（双通道）FET类型。此外，最大功率为2.5W，器件提供60V漏极到源极电压Vdss，器件具有330pF@25V输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，最大Id Vgs的Rds为90mOhm@3.8A，10V，Vgs最大Id为3V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为11.2nC@10V。
HUF76407P3是FSC制造的MOSFET N-CH 60V 13A TO-220AB。HUF76407P3在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 13A TO-220AB、N沟道60V 13B（Tc）38W（Tc）通孔TO-220AA。
HUF76409D，带有FAIRCHILD制造的电路图。HUF76409D采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
