与常规增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负栅极偏置才能关断。因此，它们在零栅极偏置电压或零栅极偏置以上保持导通，但在其他方面具有类似MOSFET的特性。它们适用于电平转换、固态继电器、电流调节器和有源负载。
特色
- “常开”操作
- 线性模式容差
- 内部标准包
- UL 94 V-0可燃性合格（模塑环氧树脂）
应用
- 音频放大器
- 启动电路
- 保护电路
- 斜坡发生器
- 电流调节器
- 主动负载
IXTY01N100D
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Tc） 最大功耗: 1.1W（Ta）、25W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 23.46699 | 23.46699 |
| 10+ | 21.10581 | 211.05811 |
| 100+ | 17.29459 | 1729.45970 |
| 500+ | 14.72264 | 7361.32150 |
| 1000+ | 12.41672 | 12416.72100 |
| 2000+ | 12.09419 | 24188.38800 |
- 库存: 14843
- 单价: ¥23.46700
-
数量:
- +
- 总计: ¥23.47
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 漏源电压标 (Vdss) 1000伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 场效应管特性 耗尽型
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 120 pF@25 V
- 供应商设备包装 TO-252AA
- 最大功耗 1.1W（Ta）、25W（Tc）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 100毫安（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 110欧姆@50毫安，0V
IXTY01N100D 产品详情
IXTY01N100D 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IXTL2X180N10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥134.30365 |
| IXTL2X200N085T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 85V 漏源电流 (Id) @ 温度: 112A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥666.28886 |
| IXTL2X220N075T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 75V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.4032 |
 | IXTL2X240N055T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.79576 |
 | IXTA3N100D2 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥42.00882 |
 | IXTA26P20P | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥48.81715 |
 | IXTP96P085T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 85 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 96A（Tc） 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥49.97601 |
 | IXTP26P20P | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥50.12087 |
 | IXTH76P10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 76A (Tc) 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥57.50863 |
 | IXTH200N10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A（Tc） 最大功耗: 550W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥66.77954 |
IXTY01N100D所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXTY01N100D 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXTY01N100D价格参考￥23.466996，你可以下载 IXTY01N100D中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXTY01N100D规格参数、现货库存、封装信息等信息！
艾赛斯.力特 (IXYS)
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