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HUF75329D3ST是MOSFET N-CH 55V 20A DPAK，包括卷轴封装，它们设计用于HUF753229D3ST_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有128 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为33 ns，上升时间为30 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为20 a，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds导通漏极-漏极电阻为26mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10ns，典型接通延迟时间为7ns，沟道模式为增强型。
HUF75329D3S是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 55V 20A DPAK。HUF75329D3S采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 55V 20A DPak、N沟道55V 20A（Tc）128W（Tc）表面安装TO-252AA、Trans-MOSFET N-CH Si 55V 20A3引脚（2+接线片）TO-252A导轨。
HUF75329D3STS2559，带有INTERSIL制造的电路图。HUF75329D3STS2559采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
