9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的SPP02N60S5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SPP02N60S5参考价格为0.48000美元。Infineon Technologies SPP02N60S5封装/规格：N沟道功率MOSFET。您可以下载SPP02N60S5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SPP02N60S5价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SPP02N60C3是MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB，包括CoolMOS C3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于SP000681014 SPP02N6OC3HKSA1 SPP2N60C3XK SP02N60C3XKSA1，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为25W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12ns，上升时间为3ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为1.8A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为3欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为68ns，典型接通延迟时间为6ns，沟道模式为增强。
SPP02N60C3XKSA1是MOSFET N-Ch 650V 1.8A TO220-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在650 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如6 ns，典型的关闭延迟时间设计为68 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术提供，该器件具有SPP02N60系列，上升时间为3 ns，漏极源极电阻Rds为3欧姆，Qg栅极电荷为9.5 nC，Pd功耗为25 W，零件别名为SP000681014 SPP02N60C3 SPP02N60X3XK，包装为管，包装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为1.8 A，下降时间为12 ns，配置为单通道。
SPP1018N80C3，带有infineon制造的电路图。SPP1018N80C3采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
