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HUF75652G3是MOSFET N-CH 100V 75A TO-247，包括UltraFET？系列，它们设计用于管式包装，零件别名显示在HUF75652G3_NL中使用的数据表注释中，HUF75651G3_NL提供单位重量功能，例如0.225401盎司，安装样式设计用于通孔，以及to-247-3封装盒，该设备也可作为Si技术使用，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件有1个通道数为1的通道，供应商器件封装为TO-247，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为515W，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为7585pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为75A（Tc），最大Id Vgs的Rds为8 mOhm@75A，10V，Vgs的最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为475nC@20V，Pd功耗为515 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为190 ns，上升时间为195ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为75A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型导通延迟时间为18.5ns，沟道模式为增强型。
HUF75652G是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 100V 75A TO-247。HUF75652G在TO-247-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 100V 75A TO-247。
HUF75823D3，带有INTERSIL制造的电路图。HUF75823D3采用TO-251-3封装，是IC芯片的一部分。
