HUF75339P3

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc）供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
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数量	单价	合计
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规格参数

场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
安装类别通孔
供应商设备包装 TO-220-3
包装/外壳至220-3
漏源电压标 (Vdss) 55 V
最大功耗 200W（Tc）
漏源电流 (Id) @ 温度 75A (Tc)
导通电阻 Rds(ON) 12毫欧姆@75A，10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 130 nC@20 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2000 pF@25 V
部件状态过时的
制造厂商

HUF75339P3 产品详情

UltraFET®MOSFET，Fairchild半导体

UItraFET®沟槽MOSFET结合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。该器件能够承受雪崩模式下的高能量，并且二极管表现出非常低的反向恢复时间和存储电荷。针对高频、最低RDS（开启）、低ESR、低总电荷和米勒门电荷的效率进行了优化。
应用于高频DC-DC转换器、开关稳压器、电机驱动器、低压母线开关和电源管理。

特色

75A，55V
SPICE和SABER热阻抗模型
温度补偿PSPICE®和SABER™ 模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS评级曲线
相关文献 - TB334，“将表面安装组件焊接到PC板的指南”

应用

AC-DC商用电源-服务器和工作站
工作站
服务器和大型机

HUF75339P3 相关器件

型号	制造商	描述	价格
HUF75307T3ST136		13A, 55V, 0.090 OHM, N CHANNEL,	¥1.7383
HUFA76407DK8T		场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 60V 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥3.9836
HUFA76413DK8T		场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.1A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥4.63546
HUF75639S3ST_Q		TRANS MOSFET N-CH 100V 56A 3PIN(	¥7.82233
HUF7554S3S		HUF755453S - 75A, 80V, 0.010 OHM	¥9.9952
HUF75637S3		MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK	¥10.86435
HUFA75433S3ST		64A, 60V, 0.016OHM, N-CHANNEL MO	¥7.90932
HUF76407D3ST	安盛美 (onsemi)	MOSFET N-CH 60V 12A DPAK	¥4.13077
HUFA76407D3S	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc）最大功耗: 38W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥109.23742
HUFA76443P3	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 260W（Tc）供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥34.83835

HUF75339P3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，HUF75339P3 由设计生产，可通过久芯网进行购买。HUF75339P3价格参考￥5.866749，你可以下载 HUF75339P3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询HUF75339P3规格参数、现货库存、封装信息等信息！