9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的SPP04N60S5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SPP04N60S5参考价格0.61000美元。Infineon Technologies SPP04N60S5封装/规格：N沟道功率MOSFET。您可以下载SPP04N60S5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SPP04N60C3XKSA1是MOSFET N-Ch 600V 4.5A TO220-3，包括SPP04N40系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于SP000681024 SPP04N50C3，其提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商标，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为50W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为9.5 ns，上升时间为2.5 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为4.5A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs第th栅极-源阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为850mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为58.5ns，典型导通延迟时间为6ns，Qg栅极电荷为19nC，并且正向跨导Min为4.4S。
SPP04N50C3XKSA1带有用户指南，包括560 V Vds漏极-源极击穿电压，设计用于0.211644盎司的单位重量，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N通道，提供晶体管极性功能，如N通道，商品名设计用于CoolMOS，以及Si技术，该器件也可以用作SPP04N40系列。此外，Rds漏极源极电阻为950 mOhms，该器件以SP000681022 SPP04N50C3 SPP04N40C3XK零件别名提供，该器件具有封装管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为4.5 a。
SPP04N60C3，带有INFINEON制造的电路图。SPP04N60C3在TO220封装中提供，是FET的一部分-单个。
