特色
- 低RDS（开启）以最小化传导损耗
- 低电容使驱动器损耗最小化
- 优化栅极电荷以最小化开关损耗
应用
- CPU供电
- DC-DC转换器
- 低压侧开关
- 参考应用注释AND8195/D
（图片：引出线）
NTMFS4835NT1G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Ta）、130A（Tc） 最大功耗: 890mW (Ta), 62.5W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 9.27091 | 9.27091 |
| 10+ | 8.29312 | 82.93121 |
| 100+ | 6.46863 | 646.86340 |
| 500+ | 5.34352 | 2671.76100 |
| 1500+ | 4.21862 | 6327.94050 |
- 库存: 1955
- 单价: ¥10.21249
-
数量:
- +
- 总计: ¥9.27
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 部件状态 过时的
- 供应商设备包装 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- 包装/外壳 8-PowerTDFN, 5 Leads
- 漏源电流 (Id) @ 温度 13A（Ta）、130A（Tc）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 11.5V
- 导通电阻 Rds(ON) 3.5欧姆@30A，10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 52 nC @ 11.5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3100 pF @ 12 V
- 最大功耗 890mW (Ta), 62.5W (Tc)
NTMFS4835NT1G 产品详情
功率MOSFET 30 V，104 A，单N沟道，SO-8 FL
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NTMFS4835NT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTMFS4835NT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTMFS4835NT1G价格参考￥10.212489，你可以下载 NTMFS4835NT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTMFS4835NT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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