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BSS84AKMB，315是MOSFET P-CH 50V 230MA 3DFN，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于3-XFDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于3-DFN1006B（0.6x1），以及MOSFET P通道，金属氧化物FET型，该器件也可以用作360mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为50V，该器件提供36pF@25V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为230mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为7.5 Ohm@100mA，10V，Vgs th最大Id为2.1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为0.35nC@5V。
BSS84AKM和NXP制造的用户指南。BSS84AKM采用SOD-882封装，是IC芯片的一部分。
BSS84AKS，带有NXP制造的电路图。BSS84AKS在SOT-363封装中提供，是FET阵列的一部分。
