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FDMC6675BZ是MOSFET P-CH 30V 9.5A POWER33，包括卷轴封装，它们设计为在0.007055盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供MLP-8等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作单四漏三源配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供2.3 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为26 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为9.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds导通漏极-漏极电阻为14.4 m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为44 ns，典型接通延迟时间为11 ns，沟道模式为增强。
FDMC612PZ是MOSFET P沟道功率沟道MOSFET，包括-0.9V Vgsth栅极-源极阈值电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006349盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如26纳秒，典型的关闭延迟时间设计为96纳秒，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为52 ns，器件的漏极-源极电阻为13 mOhm，Qg栅极电荷为53 nC，Pd功耗为26 W，封装为卷轴式，封装外壳为MLP-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为-40 A，下降时间为81 ns，配置为单一。
FDMC6675，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDMC6675采用MLP-8封装，是FET的一部分-单个。
