9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDMS8570S，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FDMS8570S参考价格为0.51000美元。onsemi FDMS8570S包装/规格：功率场效应晶体管，2。您可以下载FDMS8570S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDMS8558SDC是MOSFET N沟道PowerTrench SyncFET，包括卷轴封装，它们设计为以0.003175盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如Power-33-8，技术设计为在Si中工作，该器件也可以用作2N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为41 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Id连续漏极电流为17 A，Vds漏极-源极击穿电压为25 V，Rds漏极源极电阻为5.7 mΩ，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为81 nC。
FDMS8558S是MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN，包括25 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.003175 oz单位重量运行，数据表中显示了用于2 N沟道的晶体管类型，该沟道提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及1.5 mOhms Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为Power-56-8，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有安装型SMD/SMT，Id连续漏电流为38 a，配置为双通道。
FDMS8560S是MOSFET 25/12V双冷PowerTrench MOSFET，包括双配置，它们设计为以35A Id连续漏电流运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供2通道等多个通道功能，封装盒设计为在Power-56-8中工作，以及卷轴封装，该器件也可以用作1.8毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，该技术为硅，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有2个N沟道的晶体管类型，单位重量为0.003175盎司，Vds漏极-源极击穿电压为25 V。
