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IXTT440N04T4HV
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IXTT440N04T4HV

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 440A (Tc) 最大功耗: 940W（Tc） 供应商设备包装: TO-268HV (IXTT) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 85.46622 85.46622
10+ 77.23104 772.31043
100+ 63.93742 6393.74240
500+ 55.67617 27838.08600
1000+ 48.98192 48981.92200
  • 库存: 110
  • 单价: ¥85.46622
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥85.47
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±15V
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 包装/外壳 至268-3，DPak（2根引线+接线片），TO-268AA
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 440A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.25毫欧姆@100A，10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 480 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 26000 pF@25 V
  • 最大功耗 940W（Tc）
  • 供应商设备包装 TO-268HV (IXTT)

IXTT440N04T4HV 产品详情

这些器件的漏极至源极电压额定值为40V至170V，提供高达600安培（Tc=@25oC）的高电流能力。这些设备的高电流额定值和可用的紧凑封装选项相结合，为设计者提供了在更小的占地面积内控制更多功率的能力。此外，这些器件通过在高功率开关应用中减少或消除多个并联的低电流额定MOSFET器件来促进器件整合。由此产生的结果是减少了部件数量以及所需驱动部件的数量，从而提高了整个系统的简单性、可靠性和成本。

特色

  • 高电流能力（高达600A）
  • 低RDS（ON）和栅极电荷（Qg）
  • 采用IXYS HiPerFETTM技术实现快速电源切换性能
  • 雪崩能力
优势：

  • 消除了多个并联的低额定电流MOSFET器件
  • 提供在较小占地面积内控制更多功率的能力
  • 提高整体系统可靠性和成本

应用

  • 开关模式和谐振模式电源
  • DC-DC转换器
  • 电池充电器
  • 同步整流
  • 不间断电源
  • 交流电机驱动
  • 直流斩波器
  • 高速功率开关应用

IXTT440N04T4HV 相关器件

器件图
型号
制造商
描述
价格
IXTL2X180N10TIXTL2X180N10T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥134.30365
IXTL2X200N085TIXTL2X200N085T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 85V 漏源电流 (Id) @ 温度: 112A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥666.28886
IXTL2X220N075TIXTL2X220N075T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 75V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥5.4032
IXTL2X240N055TIXTL2X240N055T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥2.79576
IXTA3N100D2IXTA3N100D2艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥42.00882
IXTA26P20PIXTA26P20P艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥48.81715
IXTP96P085TIXTP96P085T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 85 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 96A（Tc） 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥49.97601
IXTP26P20PIXTP26P20P艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥50.12087
IXTH76P10TIXTH76P10T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 76A (Tc) 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥57.50863
IXTH200N10TIXTH200N10T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A（Tc） 最大功耗: 550W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥66.77954
IXTT440N04T4HV所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXTT440N04T4HV 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXTT440N04T4HV价格参考￥85.466220，你可以下载 IXTT440N04T4HV中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXTT440N04T4HV规格参数、现货库存、封装信息等信息！

艾赛斯.力特 (IXYS)

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