描述
该P沟道增强型场效应晶体管使用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺最大限度地减少了导通电阻，并提供了坚固可靠的性能和快速
切换。BSS84可在需要0.13 a DC的大多数应用中使用，只需付出最小的努力，可提供高达0.52 a的电流。该产品
特别适用于需要低电流高侧开关的低电压应用。
特征
♦-0.13 A，-50 V，RDS（ON）=10Ω，VGS=-5 V
♦压控P通道小信号开关
♦低RDS的高密度电池设计（ON）
♦高饱和电流
描述
该P沟道增强型场效应晶体管使用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺最大限度地减少了导通电阻，并提供了坚固可靠的性能和快速
切换。BSS84可在需要0.13 a DC的大多数应用中使用，只需付出最小的努力，可提供高达0.52 a的电流。该产品
特别适用于需要低电流高侧开关的低电压应用。
特征
♦-0.13 A，-50 V，RDS（ON）=10Ω，VGS=-5 V
♦压控P通道小信号开关
♦低RDS的高密度电池设计（ON）
♦高饱和电流
特色
- -0.13安培，-50伏 RDS（开）=10Ω @ VGS=-5伏
- 压控P通道小信号开关
- 低RDS的高密度电池设计（ON）
- 高饱和电流。
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
