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NTLJS3113PT1G是MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WFDN，包括NTLJS3131P系列，它们设计为使用卷筒封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供WDFN-6等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1信道数量的信道，该设备也可以用作单四漏极配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供1.9 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为56.5 ns，上升时间为17.5 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为-5.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极阈值电压为-0.67V，Rds导通漏极-漏极电阻为90m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为6.9ns，Qg栅极电荷为13nC，正向跨导最小值为5.9S，沟道模式为增强。
NTLJS2103PTBG是MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN，包括8 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-12 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于8 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如74 ns，晶体管类型设计为在1个P通道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为NTLJS2103P，器件的上升时间为27 ns，器件的漏极-源极电阻为25 mOhms，Pd功耗为1.9 W，封装为卷轴式，封装盒为WDFN-6，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为5.9 A，下降时间为27 ns，配置为单四漏，通道模式为增强。
NTLJS3113P带有ON制造的电路图。NTLJS3213P可在QFN封装中获得，是FET的一部分-单个。
NTLJS3113PTAG是ON公司生产的MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN。NTLJS3213PTAG采用6-WDFN暴露焊盘封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET P-CH20V 3.5A 6-WDFN、P沟道20V 3.5A（Ta）700mW（Ta）表面安装6-WDFN（2x2）、Trans MOSFET P-CH220V 5.8A 6-引脚WDFN T/R。
