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IXTP15N50L2

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 72.06685 72.06685
10+ 65.07021 650.70214
100+ 53.87413 5387.41390
500+ 46.91313 23456.56600
1000+ 41.27257 41272.57900
  • 库存: 180
  • 单价: ¥72.06686
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥72.07
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 250A
  • 安装类别 通孔
  • 供应商设备包装 TO-220-3
  • 包装/外壳 至220-3
  • 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 漏源电压标 (Vdss) 500 V
  • 最大功耗 300W (Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 15A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 480毫欧姆 @ 7.5A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 123 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4080 pF @ 25 V
  • 色彩/颜色 -

IXTP15N50L2 产品详情

这些独特的器件专为需要功率MOSFET在其电流饱和区工作的应用而设计,具有低热阻、高功率密度和扩展的正向偏置安全工作区(FBSOA)。当功率MOSFET用于线性模式操作时,与传统的开关模式相比,由于同时出现高漏极电压和电流,它们需要承受实质上高的热应力和电应力;这些极端的应力会导致典型的设备失效。IXYS LinearIXTP15N50L2功率MOSFET被设计用于解决这些类型的器件故障——当电热不稳定性的正反馈被抑制时,FBSOA被“扩展”,从而产生更大的“操作窗口”。FBSOA被保证在75°C。

特色

  • 设计用于线性操作
  • 75°C时的保证FBSOA
  • 低导通电阻RDS(接通)
  • 雪崩等级
  • 国际标准包
  • UL 94 V-0可燃性合格(模塑环氧树脂)

应用

  • 电子保险丝和热插拔电路
  • 电池管理
  • 电流调节器
  • 线性放大器
  • 风扇控制器
  • 可编程负载
  • 软启动控制

 

IXTP15N50L2所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IXTP15N50L2 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IXTP15N50L2价格参考¥72.066855,你可以下载 IXTP15N50L2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IXTP15N50L2规格参数、现货库存、封装信息等信息!

艾赛斯.力特 (IXYS)

艾赛斯.力特 (IXYS)

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