特色
- 超低导通电阻RDS（on）和栅极电荷Qg
- 快体二极管
- dv/dt耐用性
- 雪崩等级
- 低封装电感
- 国际标准包
- 更高的效率
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用
- 工业开关模式和谐振模式电源
- 电动汽车蓄电池充电器
- 交流和直流电机驱动
- DC-DC转换器
- 可再生能源逆变器
- 功率因数校正（PFC）电路
- 机器人和伺服控制
IXTP20N65X2
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 290W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 35.85235 | 35.85235 |
| 10+ | 32.18744 | 321.87448 |
| 100+ | 26.37429 | 2637.42960 |
| 500+ | 22.45168 | 11225.84300 |
| 1000+ | 18.93511 | 18935.11300 |
| 2000+ | 18.44332 | 36886.64200 |
- 库存: 1790
- 单价: ¥35.85236
-
数量:
- +
- 总计: ¥35.85
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 250A
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至220-3
- 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 20A（Tc）
- 供应商设备包装 TO-220
- 漏源电压标 (Vdss) 650 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 27 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1450 pF@25 V
- 最大功耗 290W（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 185毫欧姆@10A，10V
IXTP20N65X2 产品详情
IXYS IXTP20N65X功率MOSFET是高功率密度N沟道增强型MOSFET。它们易于安装，具有低RDS（ON）和QG以及低封装电感。典型应用包括开关模式和谐振模式电源、DC-DC转换器和PFC电路。
IXTP20N65X2 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IXTL2X180N10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥134.30365 |
| IXTL2X200N085T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 85V 漏源电流 (Id) @ 温度: 112A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥666.28886 |
| IXTL2X220N075T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 75V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.4032 |
 | IXTL2X240N055T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.79576 |
 | IXTA3N100D2 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥42.00882 |
 | IXTA26P20P | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥48.81715 |
 | IXTP96P085T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 85 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 96A（Tc） 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥49.97601 |
 | IXTP26P20P | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥50.12087 |
 | IXTH76P10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 76A (Tc) 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥57.50863 |
 | IXTH200N10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A（Tc） 最大功耗: 550W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥66.77954 |
IXTP20N65X2所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXTP20N65X2 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXTP20N65X2价格参考￥35.852355，你可以下载 IXTP20N65X2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXTP20N65X2规格参数、现货库存、封装信息等信息！
艾赛斯.力特 (IXYS)
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