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IXTH3N200P3HV
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IXTH3N200P3HV

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 2000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 520W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 232.56951 232.56951
10+ 214.50572 2145.05726
100+ 183.17439 18317.43900
500+ 166.30292 83151.46150
  • 库存: 508
  • 单价: ¥232.56952
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥232.57
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规格参数

  • 长（英寸） -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3A (Tc)
  • 包装/外壳 至247-3
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
  • 供应商设备包装 TO-247 (IXTH)
  • 最大功耗 520W (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 70 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1860 pF@25 V
  • 漏源电压标 (Vdss) 2000伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 8欧姆 @ 1.5A, 10V
  • 色彩/颜色 黑色

IXTH3N200P3HV 产品详情

这些40V沟槽T4™ 功率MOSFET构成了新一代大电流沟槽器件。可在270A或340A额定电流下使用，它们针对开关模式功率转换应用中的同步整流进行了优化。这些TrenchT4导通电阻低至1.7毫欧™ 这些器件能够减少所需MOSFET的数量，特别是在同步整流中。由于多个设备的高载流能力和高功率密度，可能不需要并联多个设备，从而简化了电力系统并同时提高了其可靠性。

特色

  • 超低导通电阻RDS（开启）
  • 高电流处理能力
  • 雪崩等级
  • 175°C工作温度
  • 国际标准包
优势：

  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用

  • 同步整流
  • 大电流开关电源
  • 电池供电电动机
  • 谐振模式电源
  • 电子镇流器
  • D类音频放大器
  • 电动叉车
  • 无线电动工具

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器件图
型号
制造商
描述
价格
IXTL2X180N10TIXTL2X180N10T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥134.30365
IXTL2X200N085TIXTL2X200N085T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 85V 漏源电流 (Id) @ 温度: 112A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥666.28886
IXTL2X220N075TIXTL2X220N075T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 75V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥5.4032
IXTL2X240N055TIXTL2X240N055T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥2.79576
IXTA3N100D2IXTA3N100D2艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥42.00882
IXTA26P20PIXTA26P20P艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥48.81715
IXTP96P085TIXTP96P085T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 85 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 96A（Tc） 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥49.97601
IXTP26P20PIXTP26P20P艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥50.12087
IXTH76P10TIXTH76P10T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 76A (Tc) 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥57.50863
IXTH200N10TIXTH200N10T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A（Tc） 最大功耗: 550W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥66.77954
IXTH3N200P3HV所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXTH3N200P3HV 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXTH3N200P3HV价格参考￥232.569519，你可以下载 IXTH3N200P3HV中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXTH3N200P3HV规格参数、现货库存、封装信息等信息！

艾赛斯.力特 (IXYS)

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