特色
- 超低RDS（开启）
- 提高效率延长电池寿命
- 逻辑电平门驱动
- 小型SO-8表面安装组件
- 二极管表现出高速、软恢复
- 指定雪崩能量
- 提供的SOIC-8安装信息
应用
- 便携式和电池供电产品中的电源管理
- 蜂窝和无绳电话
- PCMCIA卡
（图片：引出线）
NTMS10P02R2G
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Ta) 最大功耗: 1.6W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 13.10964 | 13.10964 |
| 10+ | 11.69004 | 116.90041 |
| 100+ | 9.11446 | 911.44650 |
| 500+ | 7.52942 | 3764.71450 |
| 1000+ | 6.30458 | 6304.58200 |
| 2500+ | 6.30458 | 15761.45500 |
- 库存: 150
- 单价: ¥13.10965
-
数量:
- +
- 总计: ¥13.11
在线询价
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规格参数
- 高度（英寸） -
- 长（英寸） -
- 宽（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 场效应管类型 P-通道
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@250A.
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 最大功耗 1.6W（Ta）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 8.8A (Ta)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 70 nC @ 4.5 V
- 导通电阻 Rds(ON) 14欧姆@10A，4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3640 pF @ 16 V
- 色彩/颜色 -
NTMS10P02R2G 产品详情
功率MOSFET−10安培，−20伏特P−通道增强−模式单SOIC−8封装
NTMS10P02R2G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTMS4N01R2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET PWR N-CHAN 4.2A 20V 8SOIC | ¥1.30372 |
 | NTMD3P03R2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 30V 8SOIC | ¥1.59344 |
 | NTMSD3P303R2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET/DIODE SCHOTTKY P-CH 8SOIC | ¥1.44858 |
 | NTMD6P02R2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC | ¥1.66587 |
 | NTMFS4709NT1G | 安盛美 (onsemi) | NFET S08FL 30V 94A .003R | ¥1.81073 |
| NTMFS5C442NLTWFT1G | 安盛美 (onsemi) | NTMFS5C442NLT - SINGLE N-CHANNEL | ¥6.70548 |
| NTMFS4C13NBT1G | 安盛美 (onsemi) | NTMFS4C13N - MOSFET SO8FL 30V 38 | ¥1.50652 |
| NTMFS5C460NL | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Ta）、78A（Tc） 最大功耗: 3.6W (Ta), 50W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.54902 |
 | NTMFS4C55NT1G | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 30V 78A SO8FL | ¥3.83874 |
 | NTMFS4921NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc) 最大功耗: 870mW (Ta), 38.5W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.86915 |
NTMS10P02R2G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTMS10P02R2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTMS10P02R2G价格参考￥13.109649，你可以下载 NTMS10P02R2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTMS10P02R2G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
