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BSS670S2L H6327是MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23，包括BSS670S2系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于BSS670S2L-H6327XT BSS670S2L2H6327XTSA1 SP000928950，提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOT-23-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为360 mW，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为24 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅源电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为540mA，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.6V，Rds导通漏极-漏极电阻为650mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21ns，典型接通延迟时间为9ns，Qg栅极电荷为1.7nC，正向跨导最小值为1.2S，并且信道模式是增强。
BSS670S2L是INFINEON制造的MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23。BSS670S2L采用TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23、N沟道55V 540MA（Ta）360mW（Ta）表面安装PG-SOT23-3。
BSS670S2L L6327是INFINEON制造的MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23。BSS670S2L L6327以TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23。
