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NTMYS8D0N04CTWG

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Ta)、49A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 38W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK4(5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 21.80112 21.80112
10+ 19.59928 195.99287
100+ 16.05823 1605.82340
500+ 13.66996 6834.98000
1000+ 13.10095 13100.95800
3000+ 13.10095 39302.87400
  • 库存: 2898
  • 单价: ¥12.16807
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥21.80
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10 nC@10 V
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 625 pF @ 25 V
  • 供应商设备包装 LFPAK4(5x6)
  • 包装/外壳 SOT-1023,4-LFPAK
  • 最大功耗 3.8W (Ta), 38W (Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@30A.
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 16A(Ta)、49A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 8.1毫欧姆 @ 15A, 10V
  • 色彩/颜色 -

NTMYS8D0N04CTWG 产品详情

NTMYS8D0N04CTWG所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTMYS8D0N04CTWG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTMYS8D0N04CTWG价格参考¥12.168072,你可以下载 NTMYS8D0N04CTWG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTMYS8D0N04CTWG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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