特色
- -0.13安培，-50伏 RDS（开）=10Ω @ VGS=-5伏
- 压控P通道小信号开关
- 低RDS的高密度电池设计（ON）
- 高饱和电流。
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
BSS84LT1G
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 130毫安（Ta） 最大功耗: 225毫瓦（Ta） 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.33389 | 0.33389 |
- 库存: 2635
- 单价: ¥0.33390
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.33
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 场效应管类型 P-通道
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
- 漏源电压标 (Vdss) 50 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 5V
- 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 130毫安（Ta）
- 最大功耗 225毫瓦（Ta）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 30 pF @ 5 V
- 导通电阻 Rds(ON) 10欧姆@100毫安，5V
- 色彩/颜色 -
BSS84LT1G 产品详情
该P沟道增强型MOSFET使用专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺将导通电阻降至最低，并提供坚固可靠的性能和快速切换。BSS84LT1G可在需要高达0.13 a直流电的大多数应用中使用，只需最小的努力，并且可提供高达0.52 a的电流。该产品特别适用于需要低电流高侧开关的低压应用。
BSS84LT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BSS63LT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS PNP 100V 100MA SOT-23 | ¥0.14486 |
 | BSS63,215 | 恩智浦 (NXP) | TRANS PNP 100V 100MA SOT23 | ¥0.14486 |
 | BSS159NH6327XTSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 230毫安（Ta） 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SOT23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.41817 |
| BSS169H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：170mA 功率(Pd)：360mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6Ω@10V,170mA | ¥3.29997 |
 | BSS308PEH6327 | 英飞凌 (Infineon) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@10V,2A | ¥1.30769 |
 | BSS138PS | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.41679 |
| BSS138NH6327-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA | ¥0.05442 |
| BSS131 | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 暂无 | ¥0.54386 |
| BSS138LT1G-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA | ¥0.09695 |
| BSS138W-7-F-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA | ¥0.09309 |
BSS84LT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BSS84LT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSS84LT1G价格参考￥0.333898，你可以下载 BSS84LT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSS84LT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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