英飞凌高度创新的OptiMOS™ 系列包括p沟道功率MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的最高质量和性能要求，如通态电阻和品质因数特性。
特色
- 增强模式
- 雪崩等级
- 无铅铅镀层；符合RoHS
- AEC Q101批准的小型信号包
应用
- 汽车
- 消费者
- 直流-直流
- 电子移动性
- 电机控制
- 笔记本
- 车载充电器
BSS84PH6433XTMA1
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 170毫安（Ta） 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SOT23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.33173 | 3.33173 |
| 10+ | 2.48431 | 24.84315 |
| 100+ | 1.40584 | 140.58470 |
| 500+ | 0.93085 | 465.42900 |
| 1000+ | 0.71364 | 713.64300 |
| 2000+ | 0.62057 | 1241.14400 |
| 5000+ | 0.55850 | 2792.50000 |
| 10000+ | 0.51714 | 5171.43000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥2.89716
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.33
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规格参数
- 长（英寸） -
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 场效应管类型 P-通道
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 最大功耗 360mW (Ta)
- 部件状态 不适用于新设计
- 供应商设备包装 PG-SOT23
- 漏源电流 (Id) @ 温度 170毫安（Ta）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@20A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.5 nC@10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 8欧姆 @ 170毫安, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 19 pF @ 25 V
- 色彩/颜色 不锈钢
BSS84PH6433XTMA1 产品详情
BSS84PH6433XTMA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BSS63LT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS PNP 100V 100MA SOT-23 | ¥0.14486 |
 | BSS63,215 | 恩智浦 (NXP) | TRANS PNP 100V 100MA SOT23 | ¥0.14486 |
 | BSS159NH6327XTSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 230毫安（Ta） 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SOT23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.41817 |
| BSS169H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：170mA 功率(Pd)：360mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6Ω@10V,170mA | ¥3.29997 |
 | BSS308PEH6327 | 英飞凌 (Infineon) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@10V,2A | ¥1.30769 |
 | BSS138PS | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.41679 |
| BSS138NH6327-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA | ¥0.05442 |
| BSS131 | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 暂无 | ¥0.54386 |
| BSS138LT1G-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA | ¥0.09695 |
| BSS138W-7-F-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA | ¥0.09309 |
BSS84PH6433XTMA1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BSS84PH6433XTMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSS84PH6433XTMA1价格参考￥2.897160，你可以下载 BSS84PH6433XTMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSS84PH6433XTMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
