9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTP4N70X2M，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTP4N70X2M参考价格为3.24000美元。IXYS IXTP4N70X2M封装/规格：MOSFET N-CH 700V 4A TO220。您可以下载IXTP4N70X2M英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTP4N60P是MOSFET 4.0 Amps 600 V 1.9 Ohm Rds，包括IXTP4N50系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarHV，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为89 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为4A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为5.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为13nC，正向跨导最小值为2.8S，并且信道模式是增强。
带有用户指南的IXTP4N65X2，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供0.012346 oz等单位重量功能，典型开启延迟时间设计为22 ns，以及57 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为28 ns，器件的漏极-源极电阻为850 mOhms，Qg栅极电荷为8.3 nC，Pd功耗为80 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为4A，正向跨导最小值为2.5S，下降时间为25ns，配置为单一，信道模式为增强。
IXTP48N20T是MOSFET 48 Amps 200V 50 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于28 ns，提供Id连续漏电流功能，例如48 a，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为250 W，漏极-源极电阻Rds为50 mOhms，上升时间为26 ns，系列为IXTP48N20，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为46ns，典型接通延迟时间为20ns，单位重量为0.081130oz，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极电压为30V。
IXTP48P05T是MOSFET TenchP功率MOSFET，包括管封装，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及IXTP48P0.05系列，该器件也可以用作30mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供1沟道数量的沟道，该器件的单位重量为0.012346盎司，Vds漏极-源极击穿电压为-50 V，Id连续漏极电流为-48 a。
