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NTMFS4983NFT1G
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NTMFS4983NFT1G

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A（Ta）、106A（Tc） 最大功耗: 1.7W（Ta） 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 8.32933 8.32933
10+ 7.45294 74.52944
100+ 5.81242 581.24270
1500+ 3.79057 5685.85800
  • 库存: 123
  • 单价: ¥9.19848
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥8.33
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规格参数

  • 长（英寸） -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
  • 最大功耗 1.7W（Ta）
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.3V@1毫安
  • 部件状态 过时的
  • 供应商设备包装 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN, 5 Leads
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.1毫欧姆@30A，10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 22A（Ta）、106A（Tc）
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 47.9 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3250 pF @ 15 V
  • 色彩/颜色 White

NTMFS4983NFT1G 产品详情

特征
•集成肖特基二极管
•低RDS（开启），以最小化传导损耗
•低电容，将驱动器损耗降至最低
•优化栅极电荷，以最小化开关损耗
•这些设备不含铅、不含卤素、不含BFR，符合RoHS要求

顺从的

应用
•CPU供电
•DC-DC转换器的同步整流
•低端开关
•电信二次侧整流

特色

  • 集成肖特基二极管
  • 低rDS（开启）以最小化传导损耗
  • 低电容使驱动器损耗最小化
  • 优化栅极电荷以最小化开关损耗
  • 符合RoHS

应用

  • CPU供电
  • DC-DC转换器的同步整流
  • 低压侧开关
  • 电信二次侧整流


（图片：引线/示意图）

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器件图
型号
制造商
描述
价格
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NTMFS4983NFT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTMFS4983NFT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTMFS4983NFT1G价格参考￥9.198483，你可以下载 NTMFS4983NFT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTMFS4983NFT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！

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