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FDMA6676PZ带有引脚细节，包括卷筒包装，设计用于0.002116盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装外壳功能，如microFET-6，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单四漏极配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供2.4 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为72 ns，上升时间为19 ns，Vgs栅源电压为25 V，Id连续漏电流为-11 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Vgs栅极-源极阈值电压为-2.6 V，Rds漏极漏极-漏极电阻为11 m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为87 ns，典型接通延迟时间为8.8 ns，Qg栅极电荷为33 nC，正向跨导最小值为38 S，沟道模式为增强。
FDMA6023PZT是MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与6-MicroFET（2x2）供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于PowerTrenchR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如60 mOhm@3.6A，4.5V，Power Max设计用于700mW，以及Digi-ReelR替代封装，该器件也可用作6-UDFN暴露焊盘封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有885pF@10V的输入电容Cis Vds，栅极电荷Qg Vgs为17nC@4.5V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极-源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为3.6A。
FDMA710PZ，电路图由FSC制造。FDMA710PZ采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
