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BSS84WQ-7-F

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 130毫安(Ta) 最大功耗: 200mW(Ta) 供应商设备包装: SOT-323 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1.14944 1.14944
100+ 0.92491 92.49180
1000+ 0.86914 869.14800
  • 库存: 10
  • 单价: ¥1.14945
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.15
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 场效应管类型 P-通道
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@1毫安
  • 供应商设备包装 SOT-323
  • 包装/外壳 SC-70,SOT-323
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 漏源电压标 (Vdss) 50 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 5V
  • 最大功耗 200mW(Ta)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 130毫安(Ta)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 45 pF @ 25 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 10欧姆@100毫安,5V
  • 色彩/颜色 -

BSS84WQ-7-F 产品详情

BSS84WQ-7-F所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BSS84WQ-7-F 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSS84WQ-7-F价格参考¥1.149448,你可以下载 BSS84WQ-7-F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSS84WQ-7-F规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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