BSS127SSN-7

Name: BSS127SSN-7
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7135269-BSS127SSN-7
Price: 0.871321 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50毫安 (Ta) 最大功耗: 610mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
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规格参数

长（英寸） -
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 250A
漏源电压标 (Vdss) 600 V
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 5V, 10V
包装/外壳至236-3，SC-59，SOT-23-3
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
供应商设备包装 SOT-23-3
漏源电流 (Id) @ 温度 50毫安 (Ta)
最大功耗 610mW (Ta)
导通电阻 Rds(ON) 160欧姆@16毫安，10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.08 nC@10 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 21.8 pF@25 V
色彩/颜色银

BSS127SSN-7 产品详情

这一新一代采用先进的平面技术MOSFET，提供卓越的高压和快速切换，使其成为小信号和电平移位应用的理想选择。

BSS127SSN-7 相关器件

型号	制造商	描述	价格
BSS63LT1	安盛美 (onsemi)	TRANS PNP 100V 100MA SOT-23	¥0.14486
BSS63,215	恩智浦 (NXP)	TRANS PNP 100V 100MA SOT23	¥0.14486
BSS159NH6327XTSA1	英飞凌 (Infineon)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 230毫安（Ta）最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SOT23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥4.41817
BSS169H6327	英飞凌 (Infineon)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：170mA 功率(Pd)：360mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6Ω@10V,170mA	¥3.29997
BSS308PEH6327	英飞凌 (Infineon)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@10V,2A	¥1.30769
BSS138PS	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.41679
BSS138NH6327-ES	静芯微 (ElecSuper)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA	¥0.05442
BSS131	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	暂无	¥0.54386
BSS138LT1G-ES	静芯微 (ElecSuper)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA	¥0.09695
BSS138W-7-F-ES	静芯微 (ElecSuper)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA	¥0.09309

BSS127SSN-7所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BSS127SSN-7 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSS127SSN-7价格参考￥0.871321，你可以下载 BSS127SSN-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSS127SSN-7规格参数、现货库存、封装信息等信息！