特色
- 专有高压包
- 高阻断电压
- RDSON的正温度系数
应用
- 电容器放电电路
- 高压电源
- 脉冲电路
- 激光和X射线生成系统
- 高压继电器断开电路
- CT和MRI扫描仪
- 超声波探伤机
优势：
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
IXTA1N200P3HV
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 2000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Tc） 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 69.38698 | 69.38698 |
| 10+ | 62.68730 | 626.87300 |
| 100+ | 51.90044 | 5190.04490 |
| 500+ | 45.19410 | 22597.05150 |
| 1000+ | 39.76026 | 39760.26200 |
- 库存: 0
- 单价: ¥69.38698
-
数量:
- +
- 总计: ¥69.39
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 最大功耗 125W（Tc）
- 供应商设备包装 TO-263AA
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 漏源电流 (Id) @ 温度 1A（Tc）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 23.5 nC@10 V
- 漏源电压标 (Vdss) 2000伏
- 导通电阻 Rds(ON) 40欧姆 @ 500毫安, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 646 pF @ 25 V
- 色彩/颜色 -
IXTA1N200P3HV 产品详情
IXYS 2000V高压功率MOSFET是业内最高电压的功率MOSFET产品线，采用国际标准尺寸封装。额定电流范围为0.6A至3A。它们专门设计用于解决高阻断电压和高电压封装。它们易于安装、节省空间并具有高功率密度。这些是非常适合并联器件操作的高压MOSFET，与串联连接的低压MOSFET相比，它提供了经济高效的解决方案。这些可以为电容器放电电路、高压自动测试设备、激光和x射线生成系统、高压电源和脉冲电路等应用提供最佳解决方案。
IXTA1N200P3HV 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IXTL2X180N10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥134.30365 |
| IXTL2X200N085T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 85V 漏源电流 (Id) @ 温度: 112A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥666.28886 |
| IXTL2X220N075T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 75V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.4032 |
 | IXTL2X240N055T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.79576 |
 | IXTA3N100D2 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥42.00882 |
 | IXTA26P20P | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥48.81715 |
 | IXTP96P085T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 85 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 96A（Tc） 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥49.97601 |
 | IXTP26P20P | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥50.12087 |
 | IXTH76P10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 76A (Tc) 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥57.50863 |
 | IXTH200N10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A（Tc） 最大功耗: 550W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥66.77954 |
IXTA1N200P3HV所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXTA1N200P3HV 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXTA1N200P3HV价格参考￥69.386982，你可以下载 IXTA1N200P3HV中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXTA1N200P3HV规格参数、现货库存、封装信息等信息！
艾赛斯.力特 (IXYS)
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