特色
- 低RDS（开启）以最小化传导损耗
- 低电容使驱动器损耗最小化
- 优化栅极电荷以最小化开关损耗
- 符合RoHS
应用
- CPU供电
- DC−DC转换器
NTMFS4C029NT1G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta）、46A（Tc） 最大功耗: 2.49W（Ta），23.6W（Tc） 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 7.24290 | 7.24290 |
| 10+ | 6.34478 | 63.44780 |
| 100+ | 4.86578 | 486.57800 |
| 500+ | 3.84655 | 1923.27950 |
| 1500+ | 3.07729 | 4615.93650 |
| 3000+ | 3.05976 | 9179.28900 |
- 库存: 451500
- 单价: ¥4.20088
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.24
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@250A.
- 供应商设备包装 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- 包装/外壳 8-PowerTDFN, 5 Leads
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18.6 nC@10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 15A（Ta）、46A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 5.88毫欧姆 @ 30A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 987 pF@15 V
- 最大功耗 2.49W（Ta），23.6W（Tc）
- 色彩/颜色 White
NTMFS4C029NT1G 产品详情
功率MOSFET 30 V，46 A，单N−通道，SO−8 FL
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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NTMFS4C029NT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTMFS4C029NT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTMFS4C029NT1G价格参考￥4.200882，你可以下载 NTMFS4C029NT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTMFS4C029NT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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