9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTH240N15X4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTH240N15X4参考价格为13.89000美元。IXYS IXTH240N15X4封装/规格：MOSFET N-CH 150V 240A TO247。您可以下载IXTH240N15X4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTH22N50P是MOSFET N-CH 500V 22A TO-247，包括IXTH22N40系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarHV，以及TO-247-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为350W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为21ns，上升时间为27ns，Vgs栅源电压为30V，Id连续漏极电流为22A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极阈值电压为5.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为270mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为50nC，正向跨导最小值为20S，并且信道模式是增强。
IXTH21N50是MOSFET N-CH 500V 21A TO-247，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于500 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如24 ns，典型的关闭延迟时间设计为65 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTH21N50系列，器件的上升时间为33 ns，漏极电阻Rds为250 mOhms，Pd功耗为300 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为21A，下降时间为30ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTH22P15，电路图由IXYS制造。IXTH22P15采用TO-247封装，是IC芯片的一部分。
IXTH230N085T是由IXYS制造的MOSFET N-CH 85V 230A TO-247。IXTH230N085T在TO-247-3封装中提供，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH 85V 230A TO-247、N沟道85V 230V（Tc）550W（Tc）通孔TO-247（IXTH）。
