BSS123K-TP

Name: BSS123K-TP
Brand: 微型商业组件 (Micro)
SKU: 7135783-BSS123K-TP
Price: 1.883154 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 170毫安（Tj）最大功耗: 350mW 供应商设备包装: SOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 微型商业组件 (Micro)
交期:5-7 工作日

渠道:

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起订量: 1

数量	单价	合计
1+	1.88315	1.88315
10+	1.54273	15.42738
100+	0.81772	81.77230
500+	0.53771	268.85650
1000+	0.36569	365.69400
3000+	0.32984	989.52600
6000+	0.28681	1720.91400

库存: 0
单价: ¥1.88315
数量:
- +
总计: ¥1.88

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规格参数

长（英寸） -
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压标 (Vdss) 100伏
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
包装/外壳至236-3，SC-59，SOT-23-3
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 60 pF @ 25 V
供应商设备包装 SOT-23
制造厂商微型商业组件 (Micro)
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
最大功耗 350mW
漏源电流 (Id) @ 温度 170毫安（Tj）
导通电阻 Rds(ON) 6欧姆 @ 250毫安, 10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2 nC@10 V
色彩/颜色 -

BSS123K-TP 产品详情

这些N沟道增强型场效应晶体管使用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这些产品的设计旨在最大限度地减少导通电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。

这些产品特别适用于低压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。

特征

0.17 A，100 V。Rds（开启）=6W@Vgs=10 V，Rds（打开）=10W@Vgs=4.5 V
2.用于极低RDS（ON）的高密度电池设计
3.坚固可靠
4.紧凑型行业标准SOT-23表面安装封装

绝对最大额定值

1.漏极-源极电压：VDSS=100 V
2.栅源电压：VGSS=±20 V
3.最大功耗：0.36 W

特色

0.17安培，100伏 RDS（开）=6Ω @ VGS=10伏 RDS（开）=10Ω @ VGS=4.5伏
用于极低RDS（ON）的高密度电池设计
坚固可靠
紧凑型工业标准SOT-23表面安装组件

应用

本产品通用，适用于许多不同的应用。
小型伺服电机控制
功率功率MOSFET栅极驱动器

BSS123K-TP 相关器件

型号	制造商	描述	价格
BSS63LT1	安盛美 (onsemi)	TRANS PNP 100V 100MA SOT-23	¥0.14486
BSS63,215	恩智浦 (NXP)	TRANS PNP 100V 100MA SOT23	¥0.14486
BSS159NH6327XTSA1	英飞凌 (Infineon)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 230毫安（Ta）最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SOT23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥4.41817
BSS169H6327	英飞凌 (Infineon)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：170mA 功率(Pd)：360mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6Ω@10V,170mA	¥3.29997
BSS308PEH6327	英飞凌 (Infineon)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@10V,2A	¥1.30769
BSS138PS	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.41679
BSS138NH6327-ES	静芯微 (ElecSuper)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA	¥0.05442
BSS131	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	暂无	¥0.54386
BSS138LT1G-ES	静芯微 (ElecSuper)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA	¥0.09695
BSS138W-7-F-ES	静芯微 (ElecSuper)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA	¥0.09309

BSS123K-TP所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BSS123K-TP 由微型商业组件 (Micro) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSS123K-TP价格参考￥1.883154，你可以下载 BSS123K-TP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSS123K-TP规格参数、现货库存、封装信息等信息！