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NTLJF3117PT1G是MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN，包括NTLJF3217P系列，它们设计为采用卷筒式封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供WDFN-6等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1信道数的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，该器件提供1.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13.2 ns 15 ns，上升时间为13.2纳秒15 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为-3.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为100mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为13.7ns 19.8ns，典型接通延迟时间为5.2ns 5.5ns，正向跨导最小值为3.1S，沟道模式为增强型。
NTLJF4156NTAG是MOSFET NFET 2X2 30V 4A 70MOHM，包括8 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于4.8 ns，提供典型的关断延迟时间功能，如14.2 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为9.2 ns，器件的漏极电阻为70 mOhms Rds，器件的Pd功耗为1.5 W，封装为卷轴式，封装外壳为WDFN-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏极电流为3.7A，正向跨导最小值为4.5S，下降时间为9.2ns，配置为单一，信道模式为增强。
NTLJF4156NT1G是MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN，包括增强信道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于9.2 ns，提供Id连续漏极电流特性，如3.7 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用DFN-2020-6封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为1.5 W，Rds漏极-源极电阻为70 mOhms，上升时间为9.2 ns，系列为NTLJF4156N，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为14.2ns，典型接通延迟时间为4.8ns，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为8V。
NTLJF4156NT带有ON制造的EDA/CAD模型。NTLJF156NT可在WDFN-6封装中获得，是FET的一部分-单个。
