BSS84,215

Name: BSS84,215
Brand: 安世 (Nexperia)
SKU: 7135821-BSS84,215
Price: 0.231773 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 130毫安（Ta）最大功耗: 250mW（Tc）供应商设备包装: TO-236AB 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 安世 (Nexperia)
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规格参数

长（英寸） -
部件状态可供货
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
安装类别表面安装
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
制造厂商安世 (Nexperia)
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
场效应管类型 P-通道
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@1毫安
工作温度 -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
供应商设备包装 TO-236AB
包装/外壳至236-3，SC-59，SOT-23-3
漏源电压标 (Vdss) 50 V
漏源电流 (Id) @ 温度 130毫安（Ta）
导通电阻 Rds(ON) 10欧姆@130毫安，10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 45 pF @ 25 V
最大功耗 250mW（Tc）
色彩/颜色蓝色

BSS84,215 产品详情

BSS84,215 相关器件

型号	制造商	描述	价格
BSS63LT1	安盛美 (onsemi)	TRANS PNP 100V 100MA SOT-23	¥0.14486
BSS63,215	恩智浦 (NXP)	TRANS PNP 100V 100MA SOT23	¥0.14486
BSS159NH6327XTSA1	英飞凌 (Infineon)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 230毫安（Ta）最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SOT23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥4.41817
BSS169H6327	英飞凌 (Infineon)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：170mA 功率(Pd)：360mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6Ω@10V,170mA	¥3.29997
BSS308PEH6327	英飞凌 (Infineon)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@10V,2A	¥1.30769
BSS138PS	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.41679
BSS138NH6327-ES	静芯微 (ElecSuper)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA	¥0.05442
BSS131	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	暂无	¥0.54386
BSS138LT1G-ES	静芯微 (ElecSuper)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA	¥0.09695
BSS138W-7-F-ES	静芯微 (ElecSuper)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA	¥0.09309

BSS84,215所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BSS84,215 由安世 (Nexperia) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSS84,215价格参考￥0.231773，你可以下载 BSS84,215中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSS84,215规格参数、现货库存、封装信息等信息！