BSS138W-TP

Name: BSS138W-TP
Brand: 微型商业组件 (Micro)
SKU: 7135881-BSS138W-TP
Price: 2.100441 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安（Ta）最大功耗: 300mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-323 工作温度: -55摄氏度～155摄氏度（TJ）
品牌: 微型商业组件 (Micro)
交期:5-7 工作日

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起订量: 1

数量	单价	合计
1+	2.10044	2.10044
10+	1.70932	17.09324
100+	0.90826	90.82600
500+	0.59753	298.76950
1000+	0.40632	406.32700
3000+	0.36649	1099.47300
6000+	0.31868	1912.12800

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规格参数

长（英寸） -
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
安装类别表面安装
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
供应商设备包装 SOT-323
包装/外壳 SC-70，SOT-323
最大功耗 300mW (Ta)
漏源电压标 (Vdss) 50 V
制造厂商微型商业组件 (Micro)
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@1毫安
漏源电流 (Id) @ 温度 220毫安（Ta）
导通电阻 Rds(ON) 3.5欧姆@220毫安，10伏
工作温度 -55摄氏度～155摄氏度（TJ）
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 27 pF @ 25 V
色彩/颜色黑色

BSS138W-TP 产品详情

BSS138W-TP 相关器件

型号	制造商	描述	价格
BSS63LT1	安盛美 (onsemi)	TRANS PNP 100V 100MA SOT-23	¥0.14486
BSS63,215	恩智浦 (NXP)	TRANS PNP 100V 100MA SOT23	¥0.14486
BSS159NH6327XTSA1	英飞凌 (Infineon)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 230毫安（Ta）最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SOT23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥4.41817
BSS169H6327	英飞凌 (Infineon)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：170mA 功率(Pd)：360mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6Ω@10V,170mA	¥3.29997
BSS308PEH6327	英飞凌 (Infineon)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@10V,2A	¥1.30769
BSS138PS	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.41679
BSS138NH6327-ES	静芯微 (ElecSuper)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA	¥0.05442
BSS131	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	暂无	¥0.54386
BSS138LT1G-ES	静芯微 (ElecSuper)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA	¥0.09695
BSS138W-7-F-ES	静芯微 (ElecSuper)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA	¥0.09309

BSS138W-TP所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BSS138W-TP 由微型商业组件 (Micro) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSS138W-TP价格参考￥2.100441，你可以下载 BSS138W-TP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSS138W-TP规格参数、现货库存、封装信息等信息！