BSS123W-7-F

Name: BSS123W-7-F
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7135894-BSS123W-7-F
Price: 0.329552 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 170毫安（Ta）最大功耗: 200mW（Ta）供应商设备包装: SOT-323 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
交期:2-3 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

起订量: 1

数量	单价	合计
1+	0.32955	0.32955
100+	0.29985	29.98560
1000+	0.27305	273.05700

库存: 617
单价: ¥0.32955
数量:
- +
总计: ¥0.33

在线询价

温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

长（英寸） -
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压标 (Vdss) 100伏
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@1毫安
供应商设备包装 SOT-323
包装/外壳 SC-70，SOT-323
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 60 pF @ 25 V
漏源电流 (Id) @ 温度 170毫安（Ta）
最大功耗 200mW（Ta）
导通电阻 Rds(ON) 6欧姆 @ 170毫安, 10V
色彩/颜色 -

BSS123W-7-F 产品详情

描述

该MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（on）），同时保持优异的开关性能，是高效电源管理应用的理想选择。

特征

•低栅极阈值电压
•低输入电容
•快速切换速度
•低输入/输出泄漏
•高漏源电压额定值
•完全无铅且完全符合RoHS（注释1和2）
•无卤素和锑。“绿色”设备（注3）
•符合AEC-Q101高可靠性标准
应用

•小型伺服电机控制
•功率MOSFET栅极驱动器
•切换应用程序
机械数据

•案例：SOT323
•外壳材料：模压塑料，“绿色”模压复合材料。UL可燃性分类等级94V-0
•湿度敏感度：根据J-STD-020为1级
•端子连接：参见图
•端子：在合金42引线框架上退火的亚光锡表面（无铅电镀）。可根据MIL-STD-202方法208焊接
•重量：0.006克（近似值）

特色

•“沟槽”技术
•切换速度极快
•逻辑电平兼容
•微型表面安装组件

（图片：引线/示意图）

BSS123W-7-F 相关器件

型号	制造商	描述	价格
BSS63LT1	安盛美 (onsemi)	TRANS PNP 100V 100MA SOT-23	¥0.14486
BSS63,215	恩智浦 (NXP)	TRANS PNP 100V 100MA SOT23	¥0.14486
BSS159NH6327XTSA1	英飞凌 (Infineon)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 230毫安（Ta）最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SOT23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥4.41817
BSS169H6327	英飞凌 (Infineon)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：170mA 功率(Pd)：360mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6Ω@10V,170mA	¥3.29997
BSS308PEH6327	英飞凌 (Infineon)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@10V,2A	¥1.30769
BSS138PS	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.41679
BSS138NH6327-ES	静芯微 (ElecSuper)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA	¥0.05442
BSS131	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	暂无	¥0.54386
BSS138LT1G-ES	静芯微 (ElecSuper)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA	¥0.09695
BSS138W-7-F-ES	静芯微 (ElecSuper)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA	¥0.09309

BSS123W-7-F所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BSS123W-7-F 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSS123W-7-F价格参考￥0.329552，你可以下载 BSS123W-7-F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSS123W-7-F规格参数、现货库存、封装信息等信息！