特色
•低导通电阻
•低栅极阈值电压
•低输入电容
•快速切换速度
•低输入/输出泄漏
•完全无铅且完全符合RoHS（注释1和2）
•无卤素和锑。“绿色”设备（注3）
•BSS138Q适用于需要特定变更控制的汽车应用；该零件经AEC-Q101认证，具有PPAP能力，并在IATF 16949认证设施中制造。
•https://www.diodes.com/quality/product-definitions/
BSS138Q-7-F
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安（Ta） 最大功耗: 300mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2.31772 | 2.31772 |
| 10+ | 1.89039 | 18.90397 |
| 100+ | 1.00386 | 100.38660 |
| 500+ | 0.66026 | 330.13150 |
| 1000+ | 0.44898 | 448.98700 |
| 3000+ | 0.40495 | 1214.85300 |
| 6000+ | 0.35215 | 2112.90000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥2.31773
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.32
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 供应商设备包装 SOT-23-3
- 漏源电流 (Id) @ 温度 200毫安（Ta）
- 最大功耗 300mW (Ta)
- 漏源电压标 (Vdss) 50 V
- 导通电阻 Rds(ON) 3.5欧姆@220毫安，10伏
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 50 pF @ 10 V
- 色彩/颜色 银
BSS138Q-7-F 产品详情
BSS138Q-7-F 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BSS63LT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS PNP 100V 100MA SOT-23 | ¥0.14486 |
 | BSS63,215 | 恩智浦 (NXP) | TRANS PNP 100V 100MA SOT23 | ¥0.14486 |
 | BSS159NH6327XTSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 230毫安（Ta） 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SOT23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.41817 |
| BSS169H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：170mA 功率(Pd)：360mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6Ω@10V,170mA | ¥3.29997 |
 | BSS308PEH6327 | 英飞凌 (Infineon) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@10V,2A | ¥1.30769 |
 | BSS138PS | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.41679 |
| BSS138NH6327-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA | ¥0.05442 |
| BSS131 | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 暂无 | ¥0.54386 |
| BSS138LT1G-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA | ¥0.09695 |
| BSS138W-7-F-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA | ¥0.09309 |
BSS138Q-7-F所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BSS138Q-7-F 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSS138Q-7-F价格参考￥2.317728，你可以下载 BSS138Q-7-F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSS138Q-7-F规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...
