9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计生产的BSS84AKM，315，在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。BSS84AKM，315参考价格0.42000美元。Nexperia USA Inc.股份有限公司BSS84AKM，315封装/规格：MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006-3。您可以下载BSS84AKM，315英文数据，引脚图，数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图，功能的应用电路图，电压，使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如BSS84AKM、315价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BSS84-7-F是MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3，包括BSS84系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为300mW，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为50V，输入电容Cis-Vds为45pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为130mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为10 Ohm@100mA，5V，Vgs的最大Id为2V@1mA，Pd功耗为300mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为-130mA，Vds漏极-源极击穿电压为-50V，Rds导通漏极-电源电阻为10欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为10ns，正向跨导最小值为0.05S，沟道模式为增强型。
BSS84AK，215是MOSFET P-CH 50V TO-236AB，包括2.1V@250μA Vgs th Max Id，设计用于SOT-23（TO-236AA）供应商设备包，系列如数据表注释所示，用于汽车、AEC-Q101、TrenchMOS？、？，提供Rds On Max Id Vgs功能，如7.5 Ohm@100mA，10V，Power Max设计为工作在350mW，以及Digi-ReelR替代包装包装，该设备也可以用作to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件具有36pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为0.35nC@5V，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为50V，25°C的电流连续漏极Id为180mA（Ta）。
BSS84AK，带有NXP制造的电路图。BSS84AK采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
BSS84AKM，带有NXP制造的EDA/CAD模型。BSS84AKM采用SOD-882封装，是IC芯片的一部分。
