9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SUM110P04-05-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SUM110P04-05-E3参考价格$4.98000。Vishay Siliconix SUM110P04-05-E3封装/规格：MOSFET P-CH 40V 110A TO263。您可以下载SUM110P04-05-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SUM110P04-04L-E3是MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SUM110P004-04L的零件别名，其提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及to-263-3、D2PAK（2引线+标签）中工作，TO-263AB封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为TO-263（D2Pak），配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为3.75W，晶体管类型为1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为11200pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为110A（Tc），最大Id Vgs的Rds为4.2mOhm@30A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为350nC@10V，Pd功耗为3.75W，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为110 ns，上升时间为30 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为110 A，Vds漏极-源极击穿电压为-40 V，Rds漏极源极电阻为4.2 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为190ns，典型接通延迟时间为25ns，信道模式为增强。
SUM110P04-04L是VISHAY制造的Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3引脚（2+Tab）D2PAK。SUM110P04-04L在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3引脚（2+Tab）D2PAK。
SUM110P04-05，带有VISHAY制造的电路图。SUM110P04-05在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
