特色
- TSOP−6封装中的60 V V（BR）DSS、低RDS（开启）
- 4.5 V门额定值
应用
- 负载开关
- 打印机和通信设备的电源开关
- 低电流逆变器和DC-DC
- 低电流逆变器和DC-DC
- 打印机、PC、调制解调器、机顶盒以及其他计算和数字消费产品
（图片：引出线）
NTGS5120PT1G
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A（Ta） 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 台舟 (TECH PUBLIC)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.11034 | 4.11034 |
- 库存: 30
- 单价: ¥4.11035
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.11
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 台舟 (TECH PUBLIC)
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 场效应管类型 P-通道
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 供应商设备包装 6-TSOP
- 最大功耗 600mW (Ta)
- 包装/外壳 SOT-23-6薄型，TSOT-23-6
- 漏源电流 (Id) @ 温度 1.8A（Ta）
- 导通电阻 Rds(ON) 111毫欧姆@2.9A，10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18.1 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 942 pF@30 V
- 色彩/颜色 -
NTGS5120PT1G 产品详情
功率MOSFET，60V PCh，TSOP6
NTGS5120PT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTGD3148NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.18688 |
 | NTGD4167CT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A、1.9A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.12845 |
 | NTGD3149CT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A、2.4A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.41817 |
 | NTGD4161PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.59344 |
 | NTGD3133PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.02801 |
 | NTGD3133PT1H | 安盛美 (onsemi) | PFET TSOP6 20V 2.3A 145MO | ¥2.02801 |
 | NTGS4111PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A（Ta） 最大功耗: 630mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.37036 |
 | NTGS4141NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A（Ta） 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.12845 |
 | NTGS3443T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A（Ta） 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.38557 |
 | NTGS3433T1 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET P-CH 12V 3.3A 6-TSOP | ¥0.65186 |
NTGS5120PT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTGS5120PT1G 由 台舟 (TECH PUBLIC) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTGS5120PT1G价格参考￥4.110346，你可以下载 NTGS5120PT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTGS5120PT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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台舟电子股份有限公司是2009年建立,公司的精英设计团队均来自于国内外知名企业，团队主管曾任职于美国硅谷著名IC设计龙头公司，担任技术高层岗位超过15年，核心成员均有10年以上设计经验。 台...
