9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTT1N300P3HV，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTT1N300P3HV参考价格为39.73000美元。IXYS IXTT1N300P3HV封装/规格：MOSFET N-CH 3000V 1A TO268。您可以下载IXTT1N300P3HV英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTT16P60P是MOSFET-16.0 Amps-600V 0.720 Rds，包括IXTT16P80系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于PolarP，以及to-268-2封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为1 P信道晶体管型，该器件具有460 W的Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为38 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为-16A，Vds漏极-源极击穿电压为-600V，Vgs栅极-源极阈值电压为-4V，Rds导通漏极-漏极电阻为720mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型导通延迟时间为29ns，Qg栅极电荷为92nC，并且前向跨导Min为11S，并且信道模式为增强。
IXTT170N10P是MOSFET 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.158733 oz，提供典型的开启延迟时间功能，如35 ns，典型的关闭延迟时间设计为90 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTT170N10系列，器件具有50 ns的上升时间，漏极电阻Rds为9 mOhms，Pd功耗为714W，封装为管，封装外壳为TO-268-2，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为170 A，下降时间为33 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IXTT16P20是MOSFET-16 Amps-200V 0.16 Rds，包括16 A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装样式一起工作。数据表中显示了用于1通道的通道数，该通道提供to-268-2等封装外壳功能，封装设计为在管中工作，以及160 mOhms Rds漏极源电阻，该设备也可以用作IXTT16P20系列。此外，该技术为硅，该器件提供P沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型P沟道，单位重量为0.158733盎司，Vds漏极-源极击穿电压为-200 V。
